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1108810Immagine 1N916_T50R.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N916_T50R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N916_T50R
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1N916_T50R.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1V @ 10mA
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    100V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-35
  • Velocità
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    4ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 75V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    200mA
  • Capacità a Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Numero di parte base
    1N916

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