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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N3055H
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5232526Immagine 2N3055H.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2N3055H

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N3055H
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 60V 15A TO-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2N3055H.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    3V @ 3.3A, 10A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-204 (TO-3)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    115W
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    TO-204AA, TO-3
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    2.5MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 15A 2.5MHz 115W Through Hole TO-204 (TO-3)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    20 @ 4A, 4V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    700µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    15A
  • Numero di parte base
    2N3055

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