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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N5306
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2N5306

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N5306
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO-92
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2N5306.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    25V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.4V @ 200µA, 200mA
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    625mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 25V 1.2A 625mW Through Hole TO-92-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    7000 @ 2mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1.2A
  • Numero di parte base
    2N5306

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