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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N6341G
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3302719Immagine 2N6341G.ON Semiconductor

2N6341G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N6341G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 150V 25A TO-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2N6341G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    25A
  • Tensione - Ripartizione
    TO-3
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    150V
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Tray
  • Resistenza - Base (R1) (ohm)
    40MHz
  • Potenza - Max
    200W
  • Polarizzazione
    TO-204AA, TO-3
  • Altri nomi
    2N6341G-ND
    2N6341GOS
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    2 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    2N6341G
  • Frequenza - transizione
    30 @ 10A, 2V
  • Descrizione espansione
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 25A 40MHz 200W Through Hole TO-3
  • Descrizione
    TRANS NPN 150V 25A TO-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    50µA
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1.8V @ 2.5A, 25A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    NPN

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