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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N6667
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4572415Immagine 2N6667.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2N6667

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N6667
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2N6667.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    3V @ 100mA, 10A
  • Tipo transistor
    PNP - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    2N6667OS
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 10A 2W Through Hole TO-220AB
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 5A, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    10A
  • Numero di parte base
    2N6667

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Descrizione: MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39

Produttori: Micrel / Microchip Technology
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