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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2N7002
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262063

2N7002

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N7002
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.2N7002.pdf
    2.2N7002.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23 (TO-236AB)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    7.5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    200mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    2N7002N
    2N7002NTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    115mA (Ta)
  • Numero di parte base
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