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2SB1216T-TL-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SB1216T-TL-E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 100V 4A TP-FA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SB1216T-TL-E.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 200mA, 2A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    2-TP-FA
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    130MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 130MHz 1W Surface Mount 2-TP-FA
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 500mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    4A
  • Numero di parte base
    2SB1216

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