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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SC3503CSTU
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1690423Immagine 2SC3503CSTU.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SC3503CSTU

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SC3503CSTU
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 300V 0.1A TO-126
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SC3503CSTU.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    300V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    600mV @ 2mA, 20mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-126
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    7W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-225AA, TO-126-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    150MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 100mA 150MHz 7W Through Hole TO-126
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    40 @ 10mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    2SC3503

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL

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Descrizione: RF TRANSISTOR NPN SOT-23

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Descrizione: RF TRANSISTOR NPN SOT-89

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