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4165932Immagine 2SD1060R-1EX.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SD1060R-1EX

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SD1060R-1EX
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 50V 5A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SD1060R-1EX.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 300mA, 3A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.75W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    30MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 30MHz 1.75W Through Hole TO-220-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1A, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
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