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Immagine 2SK4209.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SK4209

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Specifiche

Modello di prodotti

2SK4209
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SK4209.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-3PB
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

1.08 Ohm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 190W (Tc)
imballaggio

Tray
Contenitore / involucro

TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

N-Channel 800V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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