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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 3LP01C-TB-E
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4786192Immagine 3LP01C-TB-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LP01C-TB-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    3LP01C-TB-E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 100MA CP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    3LP01C-TB-E.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    3-CP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    10.4 Ohm @ 50mA, 4V
  • Dissipazione di potenza (max)
    250mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7.5pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1.43nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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