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4326936Immagine BAV19.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BAV19

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BAV19
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BAV19.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.25V @ 200mA
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    120V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-35
  • Velocità
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    50ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    175°C (Max)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 120V 200mA Through Hole DO-35
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    100nA @ 100V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    200mA
  • Capacità a Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Numero di parte base
    BAV19

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Pagamento
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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35

Produttori: Vishay Semiconductor Diodes Division
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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35

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Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
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Produttori: Nexperia
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Descrizione: DIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT523

Produttori: Diodes Incorporated
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