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6385084Immagine BFL4001-1EX.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BFL4001-1EX

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BFL4001-1EX
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 900V 6.5A TO220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BFL4001-1EX.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.7 Ohm @ 3.25A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2W (Ta), 37W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    150°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    900V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 900V 6.5A (Ta) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6.5A (Ta)

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 4.1A

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