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BS170_L34Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BS170_L34Z
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 1mA
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    5 Ohm @ 200mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    830mW (Ta)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    40pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    500mA (Ta)
  • Numero di parte base
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