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4067881Immagine BU323Z.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BU323Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BU323Z
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    BU323Z.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    350V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.7V @ 250mA, 10A
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-93
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    150W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-218-3
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    2MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Through Hole SOT-93
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    500 @ 5A, 4.6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    10A

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Descrizione: IC REG LIN 3.1V 200MA 4SSON

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