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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > BUT11ATU
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BUT11ATU

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BUT11ATU
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 450V 5A TO-220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.BUT11ATU.pdf
    2.BUT11ATU.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    450V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.5V @ 500mA, 2.5A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    100W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 5A 100W Through Hole TO-220-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    -
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    5A
  • Numero di parte base
    BUT11

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