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CAV24C512WE-GT3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CAV24C512WE-GT3
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CAV24C512WE-GT3.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    5ms
  • Tensione di alimentazione -
    2.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    EEPROM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOIC
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    CAV24C512WE-GT3-ND
    CAV24C512WE-GT3OSTR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    I²C
  • Formato di memoria
    EEPROM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    EEPROM Memory IC 512Kb (64K x 8) I²C 1MHz 400ns 8-SOIC
  • Frequenza dell'orologio
    1MHz
  • Tempo di accesso
    400ns

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