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Immagine CPH5871-TL-W.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

CPH5871-TL-W

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Specifiche

Modello di prodotti

CPH5871-TL-W
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

CPH5871-TL-W.pdf
Vgs (th) (max) a Id

-
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

5-CPH
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

52 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

900mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SC-74A, SOT-753
Altri nomi

CPH5871-TL-H
CPH5871-TL-H-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 3.5A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 5-CPH
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

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