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Immagine CPH6443-TL-W.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

CPH6443-TL-W

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Specifiche

Modello di prodotti

CPH6443-TL-W
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 35V 6A CPH6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

CPH6443-TL-W.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.6V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

6-CPH
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

37 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi

CPH6443-TL-W-ND
CPH6443-TL-WOSTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

35V
Descrizione dettagliata

N-Channel 35V 6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-CPH
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

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