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1096895Immagine DSK10E.ON Semiconductor

DSK10E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DSK10E
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1A
  • Tensione - Ripartizione
    -
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    -
  • Polarizzazione
    R-1 (Axial)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    DSK10E
  • Descrizione espansione
    Diode Standard 400V 1A Through Hole
  • Configurazione diodo
    10µA @ 400V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.1V @ 1A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    400V
  • Capacità a Vr, F
    150°C (Max)
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

Descrizione: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

Produttori: Elna America
In magazzino
DSK10C-ET1

DSK10C-ET1

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
DSK10B-BT

DSK10B-BT

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
DSK10E-ET1

DSK10E-ET1

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

Descrizione: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Produttori: Elna America
In magazzino
DSK-3R3H204T614-H2L

DSK-3R3H204T614-H2L

Descrizione: CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD

Produttori: Elna America
In magazzino
DSK9J01P0L

DSK9J01P0L

Descrizione: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

Produttori: Panasonic
In magazzino
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

Descrizione: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Produttori: Panasonic
In magazzino
DSK10E-BT

DSK10E-BT

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

Descrizione: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

Produttori: Elna America
In magazzino
DSK10C-BT

DSK10C-BT

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
SE30AFJHM3/6A

SE30AFJHM3/6A

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
DSK5J01Q0L

DSK5J01Q0L

Descrizione: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Produttori: Panasonic
In magazzino
DSK10B

DSK10B

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

Descrizione: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Produttori: Elna America
In magazzino
DSK10C

DSK10C

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino

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