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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DTA114EET1G

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Immagine DTA114EET1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

DTA114EET1G

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Specifiche

Modello di prodotti

DTA114EET1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

DTA114EET1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

SC-75, SOT-416
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potenza - Max

200mW
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

SC-75, SOT-416
Altri nomi

DTA114EET1GOSCT
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

DTA114

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