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4384084Immagine FCP110N65F.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCP110N65F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FCP110N65F
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 650V 35A TO220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FCP110N65F.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 3.5mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220-3
  • Serie
    FRFET®, SuperFET® II
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    110 mOhm @ 17.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    357W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    52 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4895pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

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FCP1206C153G-H1

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Descrizione: CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805

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Descrizione: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

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FCP11N60N

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FCP099N65S3

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Descrizione: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

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Descrizione: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

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FCP1206C123J-H1

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Descrizione: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

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