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875411Immagine FDA15N65.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDA15N65

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDA15N65
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDA15N65.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-3PN
  • Serie
    UniFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    440 mOhm @ 8A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    260W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-3P-3, SC-65-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3095pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    63nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 16A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

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Descrizione: FAN AXIAL 172X38.5MM 115VAC TERM

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Descrizione: FAN AXIAL 172X38.5MM 115VAC TERM

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Descrizione: MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P

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