Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

*Nome della società
*Nome
*Titolo

*Indirizzo email
*Numero di telefono

*Paese
*Finestra di contatto
*Data dell'evento

*Lasciate un messaggio

Per i visitatori di Electronica 2024

Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.

Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDB86566-F085

RFQs/ORDINE (0)

Italia

Italia

2104411

Immagine FDB86566-F085.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB86566-F085

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino

800+

$1.263

Richiesta online

Specifiche

Modello di prodotti

FDB86566-F085
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDB86566-F085.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

2.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

176W (Tj)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

FDB86566-F085TR
FDB86566_F085
FDB86566_F085TR
FDB86566_F085TR-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6655pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
Metodi di pagamento

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

Spedizione

Pagamento

Di seguito sono riportati prodotti correlati "FDB86566-F085".

FDB8876

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB8445-F085

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB86360_SN00307

FDB86360_SN00307

Descrizione: MOSFET N-CH 80V

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB8860-F085

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB86569-F085

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB8832-F085

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB8878

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB8447L

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB8860

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB86102LZ

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB8870-F085

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB86366-F085

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB8870

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB86360-F085

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB8874

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB86135

Descrizione: MOSFET N-CH 100V D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB8453LZ

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB86563-F085

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB8832

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FDB86363-F085

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.

Seguirci su

Termini & Condizioni Politica di violazione Richiedi un preventivo Chi siamo Contattaci Mappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.