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5552904Immagine FDB8896-F085.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8896-F085

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDB8896-F085
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDB8896-F085.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-263AB
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    5.7 mOhm @ 35A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    80W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    FDB8896-F085DKR
    FDB8896_F085DKR
    FDB8896_F085DKR-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2525pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 19A (Ta), 93A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    19A (Ta), 93A (Tc)

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