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6044343Immagine FDBL0150N60.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDBL0150N60

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDBL0150N60
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 300A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDBL0150N60.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-PSOF
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.5 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    357W (Tj)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-PowerSFN
  • Altri nomi
    FDBL0150N60DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    10300pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    169nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 240A (Tc) 357W (Tj) Surface Mount 8-PSOF
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    240A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 80V 240A H-PSOF8

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