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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > FDC6420C

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Immagine FDC6420C.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC6420C

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Specifiche

Modello di prodotti

FDC6420C
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDC6420C.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

SuperSOT™-6
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

70 mOhm @ 3A, 4.5V
Potenza - Max

700mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi

FDC6420C-ND
FDC6420CTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3A, 2.2A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.2A

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