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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDI047AN08A0
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FDI047AN08A0

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDI047AN08A0
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDI047AN08A0.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I2PAK (TO-262)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    310W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6600pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    138nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    75V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 75V 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

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Produttori: 3M
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 265A TO-262

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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