Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > FDJ1027P
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1805485Immagine FDJ1027P.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDJ1027P

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDJ1027P
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDJ1027P.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC75-6 FLMP
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    160 mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • Potenza - Max
    900mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC75-6 FLMP
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    290pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.8A 900mW Surface Mount SC75-6 FLMP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.8A

Intel riceverà $ 7,86 miliardi di sussidi ai sensi della U...

27/11/2024

AMD lancia la costruzione della seconda fase del Bangalore ...

26/11/2024

La scheda grafica Nvidia RTX 5090 ha un'area GPU di 744...

25/11/2024

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

23/11/2024

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

22/11/2024

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "FDJ1027P".
FDJ128N_F077

FDJ128N_F077

Descrizione: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
SI6925ADQ-T1-E3

SI6925ADQ-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7212DN-T1-GE3

SI7212DN-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
FDJ129P

FDJ129P

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
APTM20DHM20TG

APTM20DHM20TG

Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
ALD110908APAL

ALD110908APAL

Descrizione: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Produttori: Advanced Linear Devices, Inc.
In magazzino
RFQ
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
FDJ1032C

FDJ1032C

Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FDJ129P_F077

FDJ129P_F077

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
NVMFD5483NLWFT1G

NVMFD5483NLWFT1G

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
PMGD290XN,115

PMGD290XN,115

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP

Produttori: Nexperia
In magazzino
RFQ
IRF7910TRPBF

IRF7910TRPBF

Descrizione: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
FDJ127P

FDJ127P

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
IRF7752GTRPBF

IRF7752GTRPBF

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
FDJ1028N

FDJ1028N

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
DMC6040SSD-13

DMC6040SSD-13

Descrizione: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
FDJ128N

FDJ128N

Descrizione: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
IPG20N04S4L11AATMA1

IPG20N04S4L11AATMA1

Descrizione: MOSFET 2N-CH 8TDSON

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
SI4618DY-T1-GE3

SI4618DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.