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4646531Immagine FDMA0104.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMA0104

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDMA0104
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 9.4A MICROFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDMA0104.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-MicroFET (2x2)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.9W (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    6-WDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    FDMA0104DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1680pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    17.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 9.4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9.4A (Ta)

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