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Immagine FDMC86340ET80.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC86340ET80

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMC86340ET80
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 80V 48A POWER33
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMC86340ET80.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

Power33
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

6.5 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta), 65W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

FDMC86340ET80CT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2775pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

80V
Descrizione dettagliata

N-Channel 80V 14A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount Power33
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 68A (Tc)

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