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Immagine FDMS3600S.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMS3600S

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMS3600S
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMS3600S.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.7V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

Power56
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

5.6 mOhm @ 15A, 10V
Potenza - Max

1W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

FDMS3600S-ND
FDMS3600SFSTR
Q6509374
Q6509374A
Q6881411
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 13V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

25V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 15A, 30A 1W Surface Mount Power56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

15A, 30A
Numero di parte base

FDMS3600S

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