FDMS7672AS

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMS7672AS
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMS7672AS.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)
Serie

PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

4 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 46W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

FDMS7672AS-ND
FDMS7672ASTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

19 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2820pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 19A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 42A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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FDMS7650DC

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 47A POWER56

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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