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FDMS9600S

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMS9600S
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMS9600S.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-MLP (5x6), Power56
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

8.5 mOhm @ 12A, 10V
Potenza - Max

1W
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

FDMS9600SCT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

23 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1705pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 16A 1W Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A, 16A

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "FDMS9600S".

FDMT800120DC

Descrizione: MOSFET N-CH 120V 20A/129A

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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