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Specifiche

Modello di prodotti

FDP5645
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.FDP5645.pdf
2.FDP5645.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220-3
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

9.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4468pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 80A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "FDP5645".

FDP5500-F085

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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