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Immagine FDPC8016S.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDPC8016S

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Specifiche

Modello di prodotti

FDPC8016S
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDPC8016S.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

Power Clip 56
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V
Potenza - Max

2.1W, 2.3W
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

FDPC8016SCT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2375pF @ 13V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

25V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 35A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

20A, 35A

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