Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > FDR8702H
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
883539

FDR8702H

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDR8702H
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDR8702H.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SuperSOT™-8
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
  • Potenza - Max
    800mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Gull Wing
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    650pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.6A, 2.6A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.6A, 2.6A

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

23/11/2024

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

22/11/2024

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "FDR8702H".
FDR25S-4

FDR25S-4

Descrizione: CABLE STRANDED

Produttori: TE Connectivity Raychem Cable Protection
In magazzino
RFQ
FDR6580

FDR6580

Descrizione: MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
TPC8211(TE12L,Q,M)

TPC8211(TE12L,Q,M)

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RFQ
FDR840P

FDR840P

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FDR858P

FDR858P

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FDR6674A

FDR6674A

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
AO4806

AO4806

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC

Produttori: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In magazzino
RFQ
DMC4029SSDQ-13

DMC4029SSDQ-13

Descrizione: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
FDR842P

FDR842P

Descrizione: MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FDR25S-2

FDR25S-2

Descrizione: HOOK-UP DUAL WALL STRND 2AWG BLK

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
RFQ
FDR8308P

FDR8308P

Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FDR8508P

FDR8508P

Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FDR8521L

FDR8521L

Descrizione: MOSFET P-CH 20V SSOT-8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
APTM120A20SG

APTM120A20SG

Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
FDR4420A

FDR4420A

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FDR838P

FDR838P

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FDR8305N

FDR8305N

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FDR25-0

FDR25-0

Descrizione: CABLE STRANDED MC

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
RFQ
FDR844P

FDR844P

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FDR25S-8

FDR25S-8

Descrizione: HOOK-UP DUAL WALL STRND 8AWG BLK

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.