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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDS6676AS

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Immagine FDS6676AS.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6676AS

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Specifiche

Modello di prodotti

FDS6676AS
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDS6676AS.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

6 mOhm @ 14.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

FDS6676ASDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2510pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

14.5A (Ta)

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