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2146325Immagine FDS6911.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6911

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDS6911
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDS6911.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    13 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Potenza - Max
    900mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    FDS6911TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1130pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7.5A

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

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