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4639196Immagine FDS6984AS.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6984AS

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDS6984AS
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDS6984AS.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    PowerTrench®, SyncFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    31 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Potenza - Max
    900mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    FDS6984ASFSCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    420pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A, 8.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.5A, 8.5A

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC

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