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Immagine FGA25N120FTD.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA25N120FTD

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Specifiche

Modello di prodotti

FGA25N120FTD
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 1200V 50A 313W TO3P
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FGA25N120FTD.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2V @ 15V, 25A
Condizione di test

600V, 25A, 15 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

48ns/210ns
di scambio energetico

340µJ (on), 900µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-3PN
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

770ns
Potenza - Max

313W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

Trench Field Stop
carica gate

160nC
Descrizione dettagliata

IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 313W Through Hole TO-3PN
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

75A
Corrente - collettore (Ic) (max)

50A

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