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Immagine FGH30T65UPDT-F155.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGH30T65UPDT-F155

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Specifiche

Modello di prodotti

FGH30T65UPDT-F155
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 650V 60A 250W TO247-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FGH30T65UPDT-F155.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.3V @ 15V, 30A
Condizione di test

400V, 30A, 8 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

22ns/139ns
di scambio energetico

760µJ (on), 400µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247 Long Leads
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

43ns
Potenza - Max

250W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

FGH30T65UPDT_F155
FGH30T65UPDT_F155-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

Trench Field Stop
carica gate

155nC
Descrizione dettagliata

IGBT Trench Field Stop 650V 60A 250W Through Hole TO-247 Long Leads
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

90A
Corrente - collettore (Ic) (max)

60A

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