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FGP15N60UNDF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FGP15N60UNDF
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 30A 178W TO220-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.FGP15N60UNDF.pdf
    2.FGP15N60UNDF.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 15A
  • Condizione di test
    400V, 15A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    9.3ns/54.8ns
  • di scambio energetico
    370µJ (on), 67µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    82.4ns
  • Potenza - Max
    178W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • carica gate
    43nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT NPT 600V 30A 178W Through Hole TO-220-3
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    45A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    30A

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