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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > FJD3076TM

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Immagine FJD3076TM.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJD3076TM

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Specifiche

Modello di prodotti

FJD3076TM
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 32V 2A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FJD3076TM.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

32V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

800mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

D-Pak
Serie

-
Potenza - Max

1W
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

FJD3076TMFSCT
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

100MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 2A 100MHz 1W Surface Mount D-Pak
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

130 @ 500mA, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)

1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

2A
Numero di parte base

FJD3076

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