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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > FJPF13009H1TU

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Immagine FJPF13009H1TU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJPF13009H1TU

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Specifiche

Modello di prodotti

FJPF13009H1TU
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 400V 12A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FJPF13009H1TU.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

400V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

3V @ 3A, 12A
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220F-3 (Y-Forming)
Serie

-
Potenza - Max

50W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

4MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 12A 4MHz 50W Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

6 @ 8A, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

-
Corrente - collettore (Ic) (max)

12A
Numero di parte base

FJPF13009

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