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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > FJY4006R

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Immagine FJY4006R.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJY4006R

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Specifiche

Modello di prodotti

FJY4006R
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FJY4006R.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-523F
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potenza - Max

200mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SC-89, SOT-490
Altri nomi

FJY4006RTR
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

200MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-523F
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

FJY4006

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