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Immagine FPF1C2P5BF07A.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FPF1C2P5BF07A

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Specifiche

Modello di prodotti

FPF1C2P5BF07A
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FPF1C2P5BF07A.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3.8V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

F1
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

90 mOhm @ 27A, 10V
Potenza - Max

250W
imballaggio

Tray
Contenitore / involucro

F1 Module
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

-
Tipo FET

5 N-Channel (Solar Inverter)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 5 N-Channel (Solar Inverter) 650V 36A 250W Chassis Mount F1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

36A

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