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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FQB6N80TM

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Immagine FQB6N80TM.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB6N80TM

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Specifiche

Modello di prodotti

FQB6N80TM
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FQB6N80TM.pdf
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)
Serie

QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

1.95 Ohm @ 2.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.13W (Ta), 158W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

FQB6N80TM-ND
FQB6N80TMTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

19 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

N-Channel 800V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A (Tc)

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