Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

*Nome della società
*Nome
*Titolo

*Indirizzo email
*Numero di telefono

*Paese
*Finestra di contatto
*Data dell'evento

*Lasciate un messaggio

Per i visitatori di Electronica 2024

Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.

Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FQB8P10TM

RFQs/ORDINE (0)

Italia

Italia

3018159

Immagine FQB8P10TM.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB8P10TM

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino

1+

$1.50

10+

$1.331

100+

$1.052

Richiesta online

Specifiche

Modello di prodotti

FQB8P10TM
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FQB8P10TM.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)
Serie

QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

530 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.75W (Ta), 65W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

FQB8P10TMCT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

P-Channel 100V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
Metodi di pagamento

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

Spedizione

Pagamento

Di seguito sono riportati prodotti correlati "FQB8P10TM".

FQB9N25CTM

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB9N15TM

Descrizione: MOSFET N-CH 150V 9A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB7P06TM

Descrizione: MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB9N50CFTM

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB9N50CTM

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB7N80TM_AM002

FQB7N80TM_AM002

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB9N50CFTM_WS

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB9P25TM

Descrizione: MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB8N90CTM

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB85N06TM_AM002

FQB85N06TM_AM002

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB8N25TM

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB9N25TM

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB9N50TM

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB7P20TM

Descrizione: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB9N08LTM

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB7P20TM-F085

Descrizione: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB8N60CTM-WS

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 7.5A

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB9N08TM

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB8N60CFTM

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

FQB8N60CTM

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

In magazzino

Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.

Seguirci su

Termini & Condizioni Politica di violazione Richiedi un preventivo Chi siamo Contattaci Mappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.