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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FQPF19N10L

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Immagine FQPF19N10L.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQPF19N10L

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Specifiche

Modello di prodotti

FQPF19N10L
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FQPF19N10L.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220F
Serie

QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

100 mOhm @ 6.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

38W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 13.6A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

13.6A (Tc)

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